高壓電纜施工中應該注意的幾個問題
一. 電纜技術要求：基本按照定貨技術條件（按照標準IEC840-1998、GB11017-89等制定），根據(jù)我們施工中遇到的問題我們特別要求以下幾項：
主絕緣偏心度<8%（IEC840-1998新規(guī)定）
外護套用阻燃紅色PVC，護套應牢固包覆在金屬上，電纜在施工和運行時不松動，不滑脫。
外護套應涂石墨導電層，涂層應光滑牢固，在敷設和長期運行情況下不脫落。
牽引頭與鉛護套（鋁護套用鋁焊劑）應焊接牢固，保證密封，不進水。牽引頭的熱縮套對牽引頭和電纜的重疊長度分別不少于200mm。
阻燃試驗根據(jù)IEC-332-C類的規(guī)定，并按IEC754-1或IEC745-2檢測，鹵素含量<330mg/g（參考值），按ASTME662-83提供煙密度，煙密度其透光率>20%（參考值），并提供試驗報告。
對于使用鉛金屬護套、內(nèi)襯層為半導電阻水帶的電纜應避免發(fā)生因阻水帶碳化溫度（>230度）低于壓鉛溫度（290度）而導致的阻水帶碳化粘附于電纜絕緣屏蔽上的情況。半導電阻水帶容易吸潮，電纜生產(chǎn)廠家在繞包半導電阻水帶要注意暴露時間盡量短，以防出現(xiàn)在廠家內(nèi)吸潮進水情況?，F(xiàn)場電纜斷纜后檢查時一定要注意檢查半導電阻水帶是否干燥，我們曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)有一廠家電纜半導電阻水帶上好象有膠狀物，后確認為在廠家內(nèi)嚴重進水。

高壓電纜的基本概述
高壓電纜是一種將水電廠、火電廠或者是核電站生產(chǎn)出來的高壓電能輸送到用電區(qū)域的電力設備，它的出現(xiàn)解決了高壓電能輸送損耗的問題，極大的節(jié)省了國家的電能資源。由于他的高壓的特殊的性質(zhì)，所以在他的工作周邊要有很多配套的設施，比如說像瓷瓶或者是鐵塔進行一個絕緣的處理，這樣子就保證了在工作的時候，高壓電能輸送的時候其周邊的電壓環(huán)境是安全的，不會產(chǎn)生一系列安全事故。高壓電纜為我們的生活和生產(chǎn)提供了一個保證。

高壓電纜施工中應該注意的幾個問題
電纜接頭安裝
1. 國內(nèi)施工單位一般不太注意接頭地點環(huán)境濕度及粉塵情況。實際上對電纜長期運行來說，水分和小雜質(zhì)是非常有害的，容易引起水樹和局放的發(fā)生，所以在接頭施工中一定要注意環(huán)境濕度及粉塵情況，施工前要注意將環(huán)境打掃干凈，夏季施工接頭人員應戴手套，如果環(huán)境濕度太高，應進行去濕處理（升高環(huán)境溫度或利用去濕機），在套入應力錐前應用吹風機吹干絕緣表面。
2. 電纜接頭前應對電纜加熱調(diào)直，有時候施工人員認為電纜沒有彎曲就可以不加熱，其實這個觀點是不正確的。電纜應加熱調(diào)直有兩個原因：一是消除電纜內(nèi)因放纜時扭曲而產(chǎn)生的機械應力；二是消除電纜投運后因絕緣熱收縮而導致的尺寸變化。所以電纜接頭前必須對電纜加熱調(diào)直。
3. 絕緣屏蔽末端處理
絕緣屏蔽末端處理是電纜接頭工作中及其重要的一步，這一步驟的技術、工藝要求，不得有半點馬虎。如工藝掌握不好容易絕緣屏蔽末端打磨出凹坑、出現(xiàn)臺階或出現(xiàn)半導電，這些都是非常危險的。
電纜附件廠家一般采用的方法有涂刷半導電漆（美國ELASTIMOLD、瑞士C.C等）、模塑半導電層(日本廠家)、套半導電管(美國G&W)以及僅將半導電屏蔽末端刮齊并形成一光滑過度的斜坡（瑞士BRUGG、德國K.P公司），相比較而言，模塑半導電層這種方法更為保險。

高壓電纜的制作方法詳細講解
絕緣性能好
電纜附件的絕緣性能應不低于電纜本體，所用絕緣材料的介質(zhì)損耗要低，在結(jié)構上應對電纜附件中電場的突變能完善處理，有改變電場分布的措施。
★電場分布原理
高壓電纜每一相線芯外均有一接地的（銅）屏蔽層，導電線芯與屏蔽層之間形成徑向分布的電場。
也就是說，正常電纜的電場只有從（銅）導線沿半徑向（銅）屏蔽層的電力線，沒有芯線軸向的電場（電力線），電場分布是均勻的。圖中閃爍的箭頭表示電場的電力線
在做電纜頭時，剝?nèi)チ似帘螌?，改變了電纜原有的電場分布，將產(chǎn)生對絕緣極為不利的切向電場（沿導線軸向的電力線）。在剝?nèi)テ帘螌有揪€的電力線向屏蔽層斷口處集中。那么在屏蔽層斷口處就是電纜容易擊穿的部位。
要使電纜可靠運行，電纜頭制作中應力管非常重要，而應力管是在不破壞主絕緣層的基礎上，才能達到分散電應力的效果的。在電纜本體中，芯線外表面不可能是標準圓，芯線對屏蔽層的距離會不相等，根據(jù)電場原理，電場強度也會有大小，這對電纜絕緣也是不利的。為盡量使電纜內(nèi)部電場均勻，芯線外有一外表面圓形的半導體層，使主絕緣層的厚度基本相等，達到電場均勻分布的目的。
在主絕緣層外，銅屏蔽層內(nèi)的外半導體層，同樣也是消除銅屏蔽層不平，防止電場不均勻而設置的。