NPTB00004的主要參數(shù)

型號：NPTB00004

制造商:MACOM

產(chǎn)品種類:射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管

 晶體管類型:HEMT

技術:GaN Si

增益:16 dB

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.4 A

最大工作溫度:+ 200 C

Pd-功率耗散:11.6 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-8

封裝:Tray

工作頻率:6 GHz 

商標:MACOM

 產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors Rds

 On-漏源導通電阻:1.6 Ohms 

工廠包裝數(shù)量:1 

子類別:Transistors

 Vgs th-柵源極閾值電壓:- 1.6 V

 單位重量:220 mg

Mouser編號：937-NPTB00004A

制造商編號：NPTB00004A

制造商：MACOM

說明：射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

公司簡介：

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