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使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給三星S10+充電，顯示電壓9.09V，電流1.62A，充電功率約為14.76W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給小米9充電，顯示電壓9.08V，電流1.76A，充電功率約為16.02W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給華為P30Pro充電，顯示電壓9.1V，電流1.3A，充電功率約為11.83W，開啟USBPD快充。此外，東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計(jì)同樣具有小尺寸的特點(diǎn)，大小與蘋果18W快充相當(dāng)，并且PCB板余量充足，客戶在設(shè)計(jì)時(shí)可以進(jìn)一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計(jì)背面電路設(shè)計(jì)精簡，這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初級和次級各用一顆即可實(shí)現(xiàn)AC-DC功能。




哪些先下電，哪些后下電。有有嚴(yán)格的順序，否則芯片會工作異常。低功耗驗(yàn)證低功耗的方案描述是使用低功耗設(shè)計(jì)語言來描述的，分別是cpf和upf。1:描述電源端口2:描述電源domian和開關(guān)。3:描述電源net低功耗驗(yàn)證：1:使用工具vcs。2:在testbench中模擬提供電源。3:檢查復(fù)位和時(shí)鐘，通常使用斷言語言來檢查。歡迎討論留言，想學(xué)習(xí)更多關(guān)于芯片設(shè)計(jì)開發(fā)驗(yàn)證，請關(guān)注，學(xué)芯片開發(fā)，拿百萬年薪。




當(dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短發(fā)光二極管型號有哪些 通俗單色發(fā)光二極管通俗單色發(fā)光二極管具有體積孝工作電壓低、工作電流孝發(fā)光均勻不變、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，可用各種直流、交流、脈沖等電源驅(qū)動點(diǎn)亮。