電阻測(cè)試法
電阻測(cè)試法是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦?，測(cè)試其正向有電阻讀值與反向截止無(wú)讀值來(lái)判斷其是否好壞，這套測(cè)量整流橋的好壞方法是很常見(jiàn)的一種。
測(cè)試方法與步驟為：紅筆接整流橋負(fù)極，黑筆分別接兩個(gè)交流腳位，若均有讀值顯示則說(shuō)明負(fù)極與交流之間的兩顆芯片正常；黑筆接整流橋正極，紅筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位，若均有讀值顯示則表明整流橋正極與交流間的兩顆芯片為正常。
測(cè)試結(jié)果總結(jié)：若測(cè)試過(guò)程中結(jié)果反饋如上所述，則表示該整流橋4顆芯片均正常，萬(wàn)用表讀值為該測(cè)試芯片的內(nèi)阻值；若出現(xiàn)非一致的情況，比如數(shù)值為1（無(wú)窮大）則說(shuō)明整流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。

整流橋的結(jié)構(gòu)：
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱(chēng)全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。

壓降測(cè)試法
壓降測(cè)試法是利用萬(wàn)用表二極管檔位直接測(cè)試整流橋內(nèi)部二極管芯片的方法，讀值為壓降的參考值或近似值。測(cè)試方法與電阻測(cè)試法大致類(lèi)似，也是很常見(jiàn)的一種測(cè)量整流橋好壞的方法。
測(cè)試方法與步驟為：紅筆接整流橋負(fù)極，黑筆接整流橋正極，此時(shí)測(cè)試結(jié)果為整個(gè)整流橋的壓降參考值；如需分別測(cè)試每顆芯片的壓降值，則方法為黑筆接整流橋正極，紅筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位；紅筆接整流橋負(fù)極，黑筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位，此時(shí)所測(cè)結(jié)果為內(nèi)部獨(dú)立二極管芯片的壓降參數(shù)值。
測(cè)試結(jié)果總結(jié)：上述測(cè)試結(jié)果為該整流橋內(nèi)部二極管芯片壓降的參考值，有示數(shù)說(shuō)明該芯片正常，可以輔助判斷整流橋通斷與好壞情況。如有非一致的情況出現(xiàn)，比如數(shù)值為1（無(wú)窮大）則說(shuō)明整流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。

整流橋的損壞該怎么辦？
1、整流模塊損壞，通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下，更換整流橋。
2、逆變模塊損壞，通常是由于電機(jī)或電纜損壞及驅(qū)動(dòng)電路故障引起。
3、上電無(wú)顯示，通常是由于開(kāi)關(guān)電zd源損壞或軟充電電路版損壞使直流電路無(wú)直流電引起
4、顯示過(guò)電壓或欠電壓，通常由于輸入缺相，電路老化及電路板受潮引起。
5、顯示權(quán)過(guò)電流或接地短路通常是由于電流檢測(cè)電路損壞。如霍爾元件、運(yùn)放電路等。
6、電源與驅(qū)動(dòng)板啟動(dòng)顯示過(guò)電流。通常是由于驅(qū)動(dòng)電路或逆變模塊損壞引起。
7、空載輸出電壓正常，帶載后顯示過(guò)載或過(guò)電流。通常是由于參數(shù)設(shè)置不當(dāng)或驅(qū)動(dòng)電路老化，模塊損壞引起過(guò)電流保護(hù)功能 。