氮化鋁可用于作真空蒸發(fā)和熔煉金屬的容器，特別適于作真空蒸發(fā)鋁的坩堝，因為氮化鋁在真空中加熱蒸汽壓低，即使分解，也不會污染鋁

氮化鋁特性
(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；
(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
(5)純度高；
(6)光傳輸特性好；
(7)無毒；
(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。

含有Si，Mg O的熱壓Al N制品。其導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)0．63W／cm．K，可以用作集成電路基板

產(chǎn)品的熱壓溫度為1800 oC，壓力30時間30min．加入CaF 2可以減少AI N的摩擦系數(shù)，因此可用作潛水泵減磨零件。