北京賽米萊德貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電工電氣輔材
光刻膠-賽米萊德-厚光刻膠
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光刻膠的相關(guān)信息
利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?;诟泄鈽渲幕瘜W結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類型。
光聚合型采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄?,可以制成正性膠。光交聯(lián)型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠??逻_公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。
光刻膠
① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入,可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射,從而改善光刻膠的分辨率性能,但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。② 曝光系統(tǒng)伴隨著新一代曝光技術(shù)(NGL)的研究與發(fā)展,為了更好的滿足其所能實現(xiàn)光刻分辨率的同時,光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。先進曝光技術(shù)對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地,按理想厚度鋪展在器件表面,實現(xiàn)工業(yè)高效化生產(chǎn)。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進行改善。
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光刻膠是什么材料
光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。
1、光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學反應(yīng)機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠。反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。
2、普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入,可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射,從而改善光刻膠的分辨率性能,但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。