北京賽米萊德貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電工電氣輔材
負性光刻膠-賽米萊德-電子光刻膠
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經(jīng)營模式
生產(chǎn)加工
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北京市大興區(qū)
主營產(chǎn)品
光刻膠
賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠,以下信息由賽米萊德為您提供。
1959 年被發(fā)明以來就成為半導體工業(yè)核心的工藝材料之一。隨后光刻膠被改進運用到印制電路板的制造工藝,成為 PCB 生產(chǎn)的重要材料。
二十世紀 90 年代,光刻膠又被運用到平板顯示的加工制作,對平板顯示面板的大尺寸化、高精細化、彩色化起到了重要的推動作用。
在半導體制造業(yè)從微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級水平的過程中,光刻膠也起著舉足輕重的作用。
總結(jié)來說,光刻膠產(chǎn)品種類多、專用性強,需要長期技術(shù)積累,對企業(yè)研發(fā)人員素質(zhì)、行業(yè)經(jīng)驗、技術(shù)儲備等都具有極高要求,企業(yè)需要具備光化學、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術(shù),具有極高的技術(shù)壁壘。
光刻膠按用途分類
光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進步,應用領域不斷擴大,衍生出非常多的種類,按照應用領域,光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中,PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。
(1)半導體用光刻膠
在半導體用光刻膠領域,光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300~450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個階段。相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生,光刻膠中的關(guān)鍵配方成份,如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化,使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)LCD光刻膠
在LCD 面板制造領域,光刻膠也是極其關(guān)鍵的材料。根據(jù)使用對象的不同,可分為 RGB 膠(彩色膠)、BM膠(黑色膠)、OC 膠、PS 膠、TFT 膠等。
光刻工藝包含表面準備、涂覆光刻膠、前烘、對準曝光、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟,以實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移,制造特定的微結(jié)構(gòu)。
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正性光刻膠的操作工藝
(1)合成醛樹脂。將原料混和甲醛送人不銹鋼釜,加入適量草酸為催化劑,加熱回流反應5~6h,然后減壓蒸餾去除水及未反應的單體酚,得到醛樹脂。(2)合成感光劑。在裝有攪拌器的夾套反應罐中,先將三羥基二苯甲酮和215酰氯加至中攪拌下溶解,待完全溶解后,滴加有機堿溶液做催化劑,控制反應溫度30~35℃,滴加完畢后,繼續(xù)反應1h。將反應液沖至水中,感光劑析出,離心分離,干燥。(3)配膠。將合成的樹脂、感光劑與溶劑及添加劑按一定比例混合配膠,然后調(diào)整膠的各項指標使之達到要求。后過濾分裝,光刻膠首先經(jīng)過板框式過濾器粗濾,然后轉(zhuǎn)入超凈間(100級)進行超凈過濾,濾膜孔徑0.2mm,經(jīng)超凈過濾的膠液分裝即為成品。