R7觸發(fā)時(shí)是VT1和VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后VT3和VT4同時(shí)導(dǎo)通，再斷開后VT5和VT6同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)模擬正弦波輸出。

R8的是ABC連起來做一相記做U，有另外2個(gè)ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時(shí)導(dǎo)通，斷開后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。
IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件(集成門極換流晶閘管=門極換流晶閘管+門極單元)。1997年由ABB公司提出。

ABB模塊FS225R12KE3/AGDR-61C全新原裝.現(xiàn)貨ABBIG模塊

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接，結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn)，在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景

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已用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)裝置（100MVA）和的中功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置（5MW）IGCT在中壓變頻器領(lǐng)域內(nèi)成功的應(yīng)用了11年的時(shí)間（到09年為止），由于IGCT的高速開關(guān)能力無需緩沖電路，因而所需的功率元件數(shù)目更少，運(yùn)行的可靠性大大。 IGCT集IG（絕緣門極雙極性晶體管）的高速開關(guān)特性和GTO（門極關(guān)斷晶閘管）的高阻斷電壓和低導(dǎo)通損耗特性于一體，一般觸發(fā)信號(hào)通過光纖傳輸?shù)絀GCT單元。在ACS6000的有緣整流單元的相模塊里，每相模塊由IGCT和續(xù)流二極管、鉗位電容、阻尼電阻組成，由獨(dú)立的門極供電單元GUSP為其提供能源。