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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因為模擬電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。

蜂鳴器驅(qū)動IC產(chǎn)品特點

特性1 內(nèi)嵌了電荷泵電源電路，能開展6擋音量調(diào)節(jié)

NJU72501內(nèi)嵌有電荷泵電源電路，以3VP-P震幅鍵入的工作電壓可以較大擴大到18VP-P來驅(qū)動器IC。

內(nèi)嵌的電荷泵電源電路由邏輯性數(shù)據(jù)信號操縱可以轉(zhuǎn)換變壓倍率為1倍、2倍、3倍。因而，在單端輸出時，可以以3擋調(diào)整聲音；在BTL輸出時，可以以6擋調(diào)整聲音。

特性2 關(guān)機作用可以降低耗費電流量

NJU72501常備關(guān)機作用，當(dāng)無鍵入數(shù)據(jù)信號時，此作用將終止內(nèi)部電源電路工作中來提升效益電流量。因而，有益于增加機器設(shè)備的電池驅(qū)動時間。

DDR做為運用普遍的動態(tài)性隨機存儲器儲存器，被運用于無線路由器、光纖貓等機器設(shè)備中，DDR容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。

以瑞泰威發(fā)布的高質(zhì)量DDR為例子，容積為64Mb*16/128Mb*16/255Mb*16/512Mb*16等，

封裝規(guī)格BGA96Ball8*14mm/7.5*13.5毫米等，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.9V/1.35V，有著優(yōu)異的速率傳送數(shù)據(jù)，能夠 迅速、輕輕松松地解決很多工作中負荷，在更迅速與更節(jié)電的另外亦可以增強信號的一致性、改進材料傳送及存儲的可信性。