深圳市瑞泰威科技有限公司
主營產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
液晶顯示屏驅(qū)動ic公司-pwm驅(qū)動ic出口-恒流驅(qū)動ic供應(yīng)商
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范清月
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經(jīng)營模式
經(jīng)銷批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
半橋全橋驅(qū)動電路的作用是什么?
半橋全橋復(fù)的驅(qū)動電路是使功率管產(chǎn)生交流制電的觸發(fā)信號,并不是將交流信號變直流信號。百即使單片度機可以輸出直流信號,但是它問的驅(qū)動能力也是有限的,所以單片機一般做驅(qū)動答信號,驅(qū)動大的功率管,來產(chǎn)生大電流從而才能驅(qū)動電機。
瑞泰威主營業(yè)務(wù)為:驅(qū)動IC、存儲IC、觸摸IC等電子元器件產(chǎn)品,產(chǎn)品型號齊全,能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產(chǎn)品。生產(chǎn)之后,經(jīng)過嚴(yán)密測試分析流程才出貨,保持和提高產(chǎn)品可靠性,月出貨量100萬PCS。
由于LED產(chǎn)業(yè)形勢轉(zhuǎn)好,大陸芯片廠商加大了擴產(chǎn)力度。就當(dāng)前LED廠商外延片擴張計劃而言,海外廠商擴張的動力不足。在這些國家中,中國大陸廠商是擴產(chǎn)的主力。在這種趨勢下,大陸企業(yè)正加速進(jìn)入LED外延片擴產(chǎn)的新一輪浪潮,中國大陸也有望成為LED芯片“代工基地”。
而且,隨著大陸LED外延芯片的不斷擴大,國產(chǎn)器件MOCVD也將迎來新一輪的增長浪潮。根據(jù)調(diào)查機構(gòu)的數(shù)據(jù),2016年全球新增136個MOCVD裝置,現(xiàn)在有3102個。此外,國產(chǎn)MOCVD的市場份額在2016年合計僅為11%,但在經(jīng)過2016年客戶端驗證后,國產(chǎn)MOCVD將迎來新機,特別是大陸廠商的大力擴張,必將有力的推動國產(chǎn)MOCVD的發(fā)展。