強元芯電子(廣東)有限公司
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ASEMI整流橋整流橋堆-整流橋堆堆-ASEMI首芯整流橋堆型號
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整流橋堆DB157
ASEMI整流橋DB157性能穩(wěn)定,性價比高。主要源于內部核心采用的臺灣進口GPP芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)長時間工作不發(fā)發(fā)熱。輔以50MIL大規(guī)格尺寸的芯片,能夠保證DB157的輸出電流和反向耐壓持續(xù)穩(wěn)定。
整流橋堆ASEMI品牌DB157插件封裝系列小方橋,它的本體寬度為6.35mm,長度為8.32mm,高度為2.35mm,腳間距為5.1mm,腳寬度為0.52,腳位距離為8.25mm,具體尺寸參數(shù)詳解如下圖所示:
整流橋堆MB10M整流橋ASEMI品牌
MB10M來說,"MB"所代表的意義是整流橋黑膠塑封的規(guī)格大小,也就是封裝的規(guī)格情況,后面的一個“M”就是說明引腳的外觀。ABS10芯片尺寸都是50MIL,它的電性參數(shù)是:正向電流(Io)為1。MB10M就是采用了MBM-4的封裝外觀,“M”指示的意義是直插,因此我們可以初步了解到MB10M是一款小體積的插件整流橋。
MB10M當中的數(shù)字要如何解釋呢?這就要講到一款整流橋的電性參數(shù)。產品采用的是臺灣進口的玻峰GPP工藝的芯片,每個晶圓都經(jīng)過Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測,△V控制在80V以內,復雜檢測只為提高芯片的一致性和高可靠性。整流橋MB10M,它的電性參數(shù)是:正向電流(Io)為0.5A,反向耐壓為1000V,正向電壓(VF)為1.0V,它的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA、工作溫度在-40°~+150℃,恢復時間(Trr)達到500ns,其中有4條引線。對照看下來,我們就能夠找出規(guī)律,在MB10M這款整流橋中“10”這個數(shù)字就代表著反向耐壓的數(shù)值。 整流橋堆
W10整流圓橋,臺灣ASEMI原裝進口
W10芯片框架采用99.99%的純無氧銅框架,保障了產品的導電性能,同時純無氧銅框架對產品的散熱性也有一定的提高塑封黑膠采用進口PC材料,這種材料在阻燃性,散熱和耐高溫方面有著極高的優(yōu)勢,被國際上眾多二極管制造商采用。
W10整流圓橋,臺灣ASEMI原裝進口。源件都是進口的,并且采用臺灣建鼎告訴一體化測試設備加嚴檢測出貨,確保產品不良率控制在1%以內,只為確保產品質量的安全。W10產品參數(shù):正向電壓為1.1V,正向電流、為1A,反向電壓為1000V, 它的浪涌電流Ifsm為50A,漏電流為5uA、工作溫度在-55~+150℃,恢復時間達到500ns。芯片材質才有了4個60MIL的原裝進口GPP大芯片,本產品有4根引線。